Simonemos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。
要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G,S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C,故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加迟搏滑码腊上TVS，防止G-S击穿。
扩展资料
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。
需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。银码
