SimoneMOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷着斗意”的多少，以改变由这各孩照船简弦去成朝些“感应电荷”形应企象格成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管推子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较360问答多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道苗节烟，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改吸民变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
